Microchip 2N2369AUB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

SMD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2369AUB

Turn-on Time-Max (ton)

12 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

18 ns

Risk Rank

5.05

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

15 V