Microchip 2N2608

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

Pd - Power Dissipation

300 mW

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Unit Weight

0.130443 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

- 1 mA to - 5 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

0.75 V to 6 V

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

300 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10pF @ 5V

产品类别

JFETs

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

1 mA @ 5 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

750 mV @ 1 µA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

产品类别

JFET