参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-18 (TO-206AA)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Type of electrical connection of main circuit
Screw connection
Degree of protection (IP), front side
IP40
Cable entry
Side
Rated permanent current Iu
630
Type of control element
Long turning handle
Product Status
活跃
厂商
微芯片技术
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Package
Bag
Pd - Power Dissipation
1.8 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
60
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 mV
Unit Weight
0.022642 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
1 A
DC Current Gain hFE Max
200
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
90 V
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
120 MHz
Manufacturer Part Number
2N2896
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.27
系列
-
操作温度
-
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
Single
功率 - 最大
1.8 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-206AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
90 V
频率转换
120MHz
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
90 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT