Microchip 2N2906AUB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

UB

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2906

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

600 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Waffle

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

500 mW

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无