Microchip 2N2920U

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

6-SMD

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Base Product Number

2N2920

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.824529 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

30 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

20

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2920U

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.59

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N6

资历状况

不合格

配置

Dual

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

300

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT