登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'2n3250a'

4结果

category.单相BJT晶体管 (4)

所有品牌

对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料								厂商																			操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	配置	功率 - 最大	晶体管应用	极性/通道类型	产品类别	晶体管类型	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	JEDEC-95代码	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	频率转换	集电极基极电压(VCBO)	最大耗散功率(Abs)	集电极电流-最大值(IC)	最小直流增益（hFE）	集电极-发射器电压-最大值	产品类别	辐射硬化	RoHS状态
		2N3250A	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	NO		TO-39 (TO-205AD)	3	SILICON	Bulk	200 mA	2N3250	活跃	1	通孔	Microchip	微芯片技术	微芯片技术	N	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL	METAL	未说明	175 °C	无	250 MHz	2N3250A	70 ns	ROUND	1	活跃	MICROSEMI CORP	250 ns	5.11		-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk		-	e0	无			EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			Transistors	Si	BOTTOM	WIRE	未说明	not_compliant	O-MBCY-W3	不合格	SINGLE	360 mW	SWITCHING	PNP	BJTs - Bipolar Transistors	PNP			50 @ 10mA, 1V	10µA (ICBO)	TO-205AD	500mV @ 5mA, 50mA	60 V	-		1.2 W	0.2 A	50	60 V	Bipolar Transistors - BJT
		2N3250A	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		12 Weeks	通孔	通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	3	TO-39 (TO-205AD)				200mA	360mW		-65°C~200°C TJ	Bulk	2010				活跃	1 (Unlimited)			200°C	-65°C										360mW				PNP	60V	200mA	50 @ 10mA 1V	10μA ICBO		500mV @ 5mA, 50mA	60V		60V						无	Non-RoHS Compliant
		2N3250AUB	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	3-SMD, No Lead	UB	微芯片技术	活跃	200 mA	微芯片技术	Microchip	1							Bulk	-65°C ~ 200°C (TJ)			-									Transistors									360 mW			BJTs - Bipolar Transistors	PNP			50 @ 10mA, 1V	20nA		500mV @ 5mA, 50mA	60 V	-						Bipolar Transistors - BJT
		2N3250AUB/TR	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	3-SMD, No Lead	UB	微芯片技术				200 mA				-65°C ~ 200°C (TJ)	Tape & Reel (TR)					活跃															360 mW				PNP			50 @ 10mA, 1V	20nA		500mV @ 5mA, 50mA	60 V