Microchip 2N3440

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250 V

hFEMin

40

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3440

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Unit Weight

0.572232 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

5

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

300 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

最大结点温度（Tj）

200 °C

连续集电极电流

1

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

6.6 mm

辐射硬化

无