Microchip 2N3467L

安装类型

表面贴装

底架

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Panel Cutout

Round

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3467

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 500 mA, 1 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

350 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package Description

TO-5, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

175 MHz

Manufacturer Part Number

2N3467L

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Risk Rank

5.47

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

Clear

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

40 V

VCEsat-最大值

1.2 V

集电极-基极电容-最大值

25 pF

环境耗散-最大值

1 W

辐射硬化

无

无铅

有