Microchip 2N3500

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3500

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.4

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

Base Product Number

2N3500

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150 V

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 150mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

300 mA

DC Current Gain hFE Max

120 at 150 mA, 10 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150 V

最大集电极电流

300 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

最大耗散功率(Abs)

5 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无