参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
300 mA
Base Product Number
2N3501
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Unit Weight
0.115833 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
300 mA
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Package Description
TO-39, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N3501
Turn-on Time-Max (ton)
115 ns
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)
1150 ns
Risk Rank
3.55
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT8208
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
33.33MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
JESD-30代码
O-MBCY-W3
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
31mA
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
30mA
配置
Single
功率耗散
5
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-205AD
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
150 V
绝对牵引范围 (APR)
--
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益(hFE)
20
连续集电极电流
300
集电极-发射器电压-最大值
150 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.032 (0.80mm)
评级结果
--