Microchip 2N3636

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Tolerance Voltage

10 %

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3636

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-39, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

2N3636

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.09

Part Package Code

BCY

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50 at 50 mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

175 V

操作温度

-55 to 125 °C

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.75

电容量

250 pF

子类别

其他晶体管

技术

Multi-Layer

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

175 V

ESD保护

有

最大耗散功率(Abs)

5 W

压敏电压

39 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

175 V

产品长度

2 mm