Microchip 2N3700UB

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N3700UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Risk Rank

0.95

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

7(V)

Package Type

CASE UB

Collector-Base Voltage

140(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

DC Current Gain

50

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3700

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Unit Weight

0.017231 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

1 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

包装

Waffle

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

500

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT