Microchip 2N3764

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-46

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

Base Product Number

2N3764

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3764

Turn-on Time-Max (ton)

43 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

115 ns

Risk Rank

5.17

Part Package Code

BCY

操作温度

-55°C ~ 200°C

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

500 mW

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1.5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 5V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

TO-46

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1.5 A

最小直流增益（hFE）

35

集电极-发射器电压-最大值

40 V

辐射硬化

无