Microchip 2N3810

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

6

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Base Product Number

2N380

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

150 at 100 uA, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Unit Weight

0.167022 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

450 at 100 uA, 5 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

2

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W8

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2N3810

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.4

Part Package Code

TO-78

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

350 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Dual

功率耗散

350 mW

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

125

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无