Microchip 2N3810U

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

Dual PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Base Product Number

2N3810

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-78, 8 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3810U

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.08

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

50 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

Si

电压 - 供电

2.8V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

16MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

JESD-30代码

O-MBCY-W8

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.6 W

绝对牵引范围 (APR)

--

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

125

集电极-发射器电压-最大值

60 V

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--