Microchip 2N3823

包装/外壳

TO-72-4

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-72

材料

镀镍黄铜

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Maximum Cable Diameter (mm)

8.99 mm

Minimum Cable Diameter (mm)

8.99 mm

Angle

Straight

Manufacturer Part Number

4248719

Cable Style

Round

Manufacturer

Altech

Grip Type

Bushing Grip with Strain Relief

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

300 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Unit Weight

0.042049 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

8 V

Id - Continuous Drain Current

20 mA

Package

Bulk

Base Product Number

2N3823

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-72, 4 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.2

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/375

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

类型

JFET

端子表面处理

锡铅

组成

Metallic

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

300 mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

JFETs

工作温度范围

- 55 C to + 200 C

JEDEC-95代码

TO-206AF

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

2 pF

最高频段

甚高频段

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

20 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

8 V @ 500 pA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

产品类别

JFET

知识产权评级

IP68