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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥393.501778
10
¥371.228089
100
¥350.215179
500
¥330.391678
1000
¥311.690262
2N3838详情
Microchip 2N3838重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-FlatPack
底架
表面贴装
引脚数
6
供应商器件包装
6-Flatpack
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Base Product Number
2N380
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
最大功率耗散
350 mW
技术
Si
功率 - 最大
350mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400 mV
最大集电极电流
600 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
辐射硬化
无
2N3838拓展信息
Microchip Technology
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