Microchip 2N4391

表面安装

NO

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N4391

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CALOGIC LLC

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.02

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

0.4 V

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

150 mA

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

30 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

40 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

40 V

Gate-Source Cutoff Voltage

10 V

Id - Continuous Drain Current

12 mA

Package

Bulk

Base Product Number

2N4391

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

JFET

HTS代码

8542.90.00.00

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

GATE

功率 - 最大

1.8 W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14pF @ 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-18

漏极-源极导通最大电阻

30 Ω

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

反馈上限-最大值 (Crss)

3.5 pF

环境耗散-最大值

1.8 W

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

50 mA @ 20 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

4 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

电阻-RDS(On)

30 Ohms

产品类别

JFET