Microchip 2N4392

安装类型

通孔

包装/外壳

-

供应商器件包装

TO-18

Package

Bulk

Base Product Number

2N4392

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

0.4 V

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

75 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

60 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

40 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

40 V

Gate-Source Cutoff Voltage

5 V

Id - Continuous Drain Current

12 mA

操作温度

-55°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

类型

JFET

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1.8 W

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14pF @ 20V

产品类别

JFETs

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

25 mA @ 20 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

2 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

电阻-RDS(On)

60 Ohms

产品类别

JFET