Microchip 2N4854

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

6

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N485

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package Description

TO-78, 6 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N4854

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.32

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

600 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-T6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率耗散

600 mW

功率 - 最大

600mW

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

35

集电极-发射器电压-最大值

40 V

辐射硬化

无