Microchip 2N5154

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

-

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

70 at 2.5 A, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Unit Weight

0.241715 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

2 A

DC Current Gain hFE Max

200 at 2.5 A, 5 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

11.8

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

100µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

集电极基极电压(VCBO)

100 V

连续集电极电流

2

产品类别

Bipolar Transistors - BJT