参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-39
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
-
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
5.5 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
70 at 2.5 A, 5 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage
750 mV
Unit Weight
0.241715 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
2 A
DC Current Gain hFE Max
200 at 2.5 A, 5 VDC
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
11.8
功率 - 最大
1 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
最大集极截止电流
100µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
集电极基极电压(VCBO)
100 V
连续集电极电流
2
产品类别
Bipolar Transistors - BJT