Microchip 2N5154U3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

U3

终端数量

3

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

200 °C

Risk Rank

5.09

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5154U3

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDSO-N3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

5.5 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

70

连续集电极电流

2 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无