Microchip 2N5582

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N5582

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

2N5582

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.19

Part Package Code

BCY

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

800 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-46

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

40 V