参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
Manufacturer Part Number
XT2NU3125DAA000XXX
Approvals
CSA, IEC, UL
Manufacturer
ABB
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
2N5661
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
微芯片技术
Maximum DC Collector Current
2 A
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
300 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Tray
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
最大功率耗散
2 W
技术
Si
额定电流
125 A
配置
Single
极数
3
功率 - 最大
2 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300 V
最大集电极电流
2 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流
200nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 400mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
400 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
辐射硬化
无