Microchip 2N5795

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N5795

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

2N5795

Turn-on Time-Max (ton)

50 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

140 ns

Risk Rank

5.23

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

温度系数

600.0000 ppm/°C

电阻

10 mOhm

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

额定功率

2.0000 W

最大功率耗散

600 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

600mW

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

电阻公差

1

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

产品长度

6.35

产品宽度

3.15