Microchip 2N6298

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6298

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Risk Rank

5.05

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

2N6298

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON

功率 - 最大

64 W

极性/通道类型

PNP

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

PNP - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

75 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

750

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

达林顿晶体管