参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
125XBRZA120AB
Approvals
UL;cUL
Manufacturer
Edwards Signaling
RoHS
无
Mounting
Conduit;Panel
Transistor Polarity
PNP
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
8 A
Base Product Number
-
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Unit Weight
0.824529 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip Technology / Atmel
Schedule B
8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Package Description
TO-66, 2 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
4 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5
Part Package Code
TO-66
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
75 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
3 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
通孔
Maximum DC Collector Current
8 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
操作温度
-31~150
系列
-
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
颜色
Amber
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
元素配置
Single
功率耗散
75
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
75 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
达林顿晶体管
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
最大集极截止电流
500µA
JEDEC-95代码
TO-213AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 80mA, 8A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
80 V
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
100
连续集电极电流
8
集电极-发射器电压-最大值
80 V
操作方式
Continuous, Strobe
灯型
LED
工作电压
120 VAC
产品类别
达林顿晶体管