Microchip 2N6353

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N6353

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.892167 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

N

Package Description

TO-24, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6353

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.17

Part Package Code

TO-66

Emitter- Base Voltage VEBO

12 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Maximum DC Collector Current

5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBFM-P3

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON

功率 - 最大

2 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

1µA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 10mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

达林顿晶体管