Microchip 2N6372

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

6 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Package Description

METAL CAN-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6372

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.06

操作温度

-

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

40 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

功率耗散

40 W

功率 - 最大

40 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

6 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

6 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无