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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥434.878193
10
¥410.262452
100
¥387.040046
500
¥365.132117
1000
¥344.464259
2N6989详情
Microchip 2N6989重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
14-DIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-116
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Base Product Number
2N698
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N6989
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.11
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T14
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
4 NPN (Quad)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-116
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
50 V
2N6989拓展信息
Microchip Technology
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