Microchip APL602B2

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

PDG34NH250E3RN

Approvals

CE, CSA, UL

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Corp

Mounting

Panel

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.64

Drain Current-Max (ID)

49 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

250 A

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49 A

漏极-源极导通最大电阻

0.125 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

196 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

730 W