注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
APL602L
品牌
Microchip
utmel 编号
1610-APL602L
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor...
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
APL602L详情
技术参数
Microchip APL602L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TO-264, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.17
Part Package Code
TO-264AA
Drain Current-Max (ID)
49 A
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.125 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
196 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
3000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
730 W
APL602L拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)