Microchip APT10M11LVR

触点镀层

50 microinches Gold Plate

安装类型

Wall - Front Mount - Thru Holes

表面安装

NO

外壳材料

铝合金

插入材料

Hard Dielectric

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Contact Sizes

14#20,1#16

Service Rating

I

Insert Arrangement

D15

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT10M11LVR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Power Technology

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.68

Drain Current-Max (ID)

100 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH VOLTAGE

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

有

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

触点样式

Socket

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

密封

Meets IP67

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-264AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

520 W

外壳电镀

化学镍