Microchip APT10M19BVFR

安装类型

前端安装

表面安装

NO

引脚数

5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Maximum Voltage

600 VAC, 600 VDC

Manufacturer Part Number

U-39856

Approvals

CSA, UL

Manufacturer

Turck

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

9 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

370 W

知识产权评级

IP67

长度

5 m