Microchip APT40N60B2CFG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LQFP

表面安装

NO

供应商器件包装

100-TQFP (14x14)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

Volatile

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT40N60B2CFG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

40 A

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

基本部件号

IDT7026

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

内存大小

256Kb (16K x 16)

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

访问时间

20ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

晶体管应用

SWITCHING

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40 A

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

417 W