APT50M60JVR详情
Microchip APT50M60JVR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
材料
Aluminum
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ISOTOP-4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APT50M60JVR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Advanced Power Technology
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.68
Drain Current-Max (ID)
63 A
类型
Blind Threaded Inserts - MaxTite®
附加功能
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
子类别
FET 通用电源
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
63 A
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
252 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
3200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
565 W
APT50M60JVR拓展信息








哦! 它是空的。