APT50M60JVR
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Microchip APT50M60JVR

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型号

APT50M60JVR

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT50M60JVR

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227

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APT50M60JVR
APT50M60JVR Microchip Trans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227

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APT50M60JVR详情

Microchip APT50M60JVR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 材料

    Aluminum

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    ISOTOP-4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APT50M60JVR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Advanced Power Technology

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.68

  • Drain Current-Max (ID)

    63 A

  • 类型

    Blind Threaded Inserts - MaxTite®

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    63 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.06 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    252 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    3200 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    565 W

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APT50M60JVR拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS