APT50M80B2VFR
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Microchip APT50M80B2VFR

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型号

APT50M80B2VFR

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT50M80B2VFR

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

APT50M80B2VFR datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Microchip stock available at utmel

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APT50M80B2VFR详情

Microchip APT50M80B2VFR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    APT50M80B2VFR

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Part Package Code

    TO-264AA

  • Package Description

    TO-247, 3 PIN

  • Risk Rank

    5.31

  • Drain Current-Max (ID)

    58 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • 无铅代码

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-264AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    58 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.08 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    232 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    3000 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    625 W

0个相似型号

APT50M80B2VFR拓展信息

DVGA1-242A
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