对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 无铅代码 | 附加功能 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | ||||||||||||||
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![]() | APT8056BVFR | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | APT8056BVFR | 无 | Obsolete | MICROSEMI CORP | TO-247AD | TO-247, 3 PIN | 5.75 | 16 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 未说明 | 无 | HIGH VOLTAGE, FREDFET | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-247AD | 0.56 Ω | 64 A | 800 V | 1300 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |



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