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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥285.328433
10
¥269.177764
100
¥253.94129
500
¥239.56725
1000
¥226.006839
APTDF30H1201G详情
Microchip APTDF30H1201G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
表面安装
NO
供应商器件包装
SP1
二极管元件材料
SILICON
终端数量
12
Package
Bulk
Base Product Number
APTDF30
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Description
R-XUFM-T12
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APTDF30H1201G
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
3.1 V
Risk Rank
5.75
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
Standard
端子位置
UPPER
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-T12
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
100 µA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
3.1 V @ 30 A
箱体转运
ISOLATED
输出电流-最大值
43 A
平均整流电流(Io)
43 A
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
1200 V
最大非代表Pk前进电流
210 A
电压 - 峰值反向(最大值)
1.2 kV
击穿电压-最小值
1200 V
重复峰值反向电压
1.2
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
APTDF30H1201G拓展信息







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