Microchip APTM10UM01FAG

表面安装

NO

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

供应商器件包装

SP6

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APTM10UM01FAG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

Risk Rank

1.6

Drain Current-Max (ID)

860 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Continuous Drain Current Id

860

Package

Bulk

Base Product Number

APTM10

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

860A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

2500W (Tc)

Product Status

活跃

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Single Switch MOSFET Module

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6mOhm @ 275A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 12mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60000 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2100 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.0016 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2200 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules