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技术文档
型号
AT65609EHV-C940-E
品牌
Microchip
utmel 编号
1610-AT65609EHV-C940-E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Rad Hard Memories, 25degC, SB32.4
起订量
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AT65609EHV-C940-E详情
技术参数
Microchip AT65609EHV-C940-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Free Hanging (In-Line)
表面安装
NO
材料 - 绝缘
Polyester Thermoplastic, Glass Filled
终端数量
32
Lead Free Status / RoHS Status
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
40 ns
Manufacturer Part Number
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microchip Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.64
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Eurocard
包装
Bulk
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
终端
IDC
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
96
行数
3
HTS代码
8542.32.00.41
螺距
0.100 (2.54mm)
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
样式
C
已加载定位数量
All
Reach合规守则
compliant
额定电流
触点表面处理
Gold
JESD-30代码
R-PDIP-T32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128KX8
座位高度-最大
4.32 mm
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
级别,类别
2
特征
宽度
10.16 mm
长度
40.64 mm
触点表面处理厚度
31.5µin (0.80µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0
AT65609EHV-C940-E拓展信息
公司资质
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