Microchip BZV55C10

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA (Glass)

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

BZV55C10

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

200 nA

Zz - Zener Impedance

20 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

200 nA

Pd - Power Dissipation

3.33 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.001411 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

10 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

-

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reference Voltage-Nom

10 V

Manufacturer Part Number

BZV55C10

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

飞利浦组件

Risk Rank

5.17

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±6%

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

unknown

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

200 nA @ 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

测试电流

5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

10 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

5 mA

电压允差

5 %

反向电流-最大值

0.2 µA

齐纳电流

200 nA

电压温度系数

8 mV/°C

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

-

高度

-

长度

3.7 mm

直径

1.7 mm