Microchip JAN1N3020BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF (Glass)

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JAN1N3020BUR-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-213AB

Package Description

O-LELF-R2

Risk Rank

5.17

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reference Voltage-Nom

10 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N3020

Impedance (Max) (Zzt)

7 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/115

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1.25 W

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/115K

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

25 µA @ 7.6 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

5 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

10 V

齐纳电压

10 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

25 mA

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无