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'jan1n3022b'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

终端数量

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

参考标准

终端样式

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

功率耗散

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

箱体转运

功率 - 最大

最大反向漏电电流

阻抗-最大

测试电流

参考电压

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

齐纳电压

产品类别

最大电压允差

JEDEC-95代码

工作测试电流

电压允差

齐纳电流

Vf-正向电压

产品类别

直径

长度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

JAN1N3022B-1
JAN1N3022B-1
Aeroflex 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

JAN1N3022B-1
JAN1N3022B-1
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

DO-204AL, DO041, Axial

NO

2

DO-41

SILICON

2

微芯片技术

12 V

未说明

Bulk

1N3022

9 Ohms

活跃

N

Microchip / Microsemi

通孔

1

0.010935 oz

8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85

JAN1N3022B-1

无

活跃

MICROSEMI CORP

O-XALF-W2

5.3

1

UNSPECIFIED

ROUND

长式

1 W

-55°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

MIL-PRF-19500/115

±5%

e0

无

Production (Last Updated: 2 months ago)

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

175 °C

-55 °C

冶金结合

8541.10.00.50

Diodes & Rectifiers

AXIAL

WIRE

未说明

not_compliant

MIL-19500/115K

Axial

O-XALF-W2

Qualified

UNIDIRECTIONAL

SINGLE

Single

泽纳电极

10 µA @ 9.1 V

1

1.2 V @ 200 mA

ISOLATED

1 W

10 µA

21 mA

12 V

12 V

齐纳二极管

5%

DO-41

21 mA

5 %

齐纳二极管

2.16 mm

4.06 mm

无

含铅

JAN1N3022B-1
JAN1N3022B-1
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

通孔

2

SILICON

1W

1

Tape & Reel (TR)

1999

e0

no

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

175°C

-55°C

冶金结合

8541.10.00.50

AXIAL

WIRE

MIL-19500/115K

Qualified

UNIDIRECTIONAL

Single

泽纳电极

1W

ISOLATED

10μA

21mA

12V

12V

5%

DO-41

5%

无

Non-RoHS Compliant

含铅

JAN1N3022BUR-1
JAN1N3022BUR-1
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

YES

2

DO-213AB (MELF, LL41)

SILICON

2

微芯片技术

未说明

Bulk

1N3022

9 Ohms

活跃

JAN1N3022BUR-1

无

活跃

MICROSEMI CORP

DO-213AB

O-LELF-R2

5.18

1

1

GLASS

ROUND

长式

1 W

12 V

-55°C ~ 175°C

Military, MIL-PRF-19500/115

±5%

e0

无

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

冶金结合

8541.10.00.50

END

环绕

未说明

compliant

MIL-19500/115K

O-LELF-R2

Qualified

UNIDIRECTIONAL

SINGLE

泽纳电极

10 µA @ 9.1 V

1.2 V @ 200 mA

ISOLATED

1 W

12 V

5%

DO-213AB

21 mA

JAN1N3022B-1/TR
JAN1N3022B-1/TR
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

JAN1N3022BUR-1
JAN1N3022BUR-1
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18 Weeks

表面贴装

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

2

SILICON

1

1.25W

-55°C~175°C

Bulk

1999

Military, MIL-PRF-19500/115

±5%

e0

no

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

冶金结合

8541.10.00.50

END

环绕

MIL-19500/115K

Qualified

UNIDIRECTIONAL

Single

泽纳电极

10μA @ 9.1V

1.2V @ 200mA

ISOLATED

1W

1μA

9Ohm

12V

12V

5%

无

Non-RoHS Compliant

JAN1N3022B-1/TR
JAN1N3022B-1/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DO-204AL, DO-41, Axial

DO-41

微芯片技术

通孔

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

12 V

N

0.081 %/C

Tape & Reel (TR)

活跃

9 Ohms

10 uA

9 Ohms

10 uA

1 W

+ 175 C

0.010935 oz

- 55 C

100

-55°C ~ 175°C (TJ)

Reel

Military, MIL-PRF-19500/115

±5%

Diodes & Rectifiers

Single

10 μA @ 9.1 V

1.2 V @ 200 mA

1 W

21 mA

12 V

齐纳二极管

5 %

80 mA

1.2 V

齐纳二极管

2.72 mm

5.21 mm

JAN1N3022BUR-1
JAN1N3022BUR-1
Aeroflex 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

JAN1N3022BUR-1/TR
JAN1N3022BUR-1/TR
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

JAN1N3022BUR-1/TR
JAN1N3022BUR-1/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AB, MELF (Glass)

DO-213AB (MELF, LL41)

微芯片技术

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

12 V

N

0.081 %/C

Tape & Reel (TR)

活跃

9 Ohms

10 uA

9 Ohms

10 uA

1 W

+ 175 C

0.001411 oz

- 55 C

100

-55°C ~ 175°C

Reel

Military, MIL-PRF-19500/115

±5%

Diodes & Rectifiers

Single

10 μA @ 9.1 V

1.2 V @ 200 mA

1 W

21 mA

12 V

齐纳二极管

5 %

80 mA

1.2 V

齐纳二极管

2.67 mm

5.21 mm