对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 功率耗散 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 最大反向漏电电流 | 阻抗-最大 | 测试电流 | 参考电压 | 电压 - 齐纳(标准值)(Vz) | 齐纳电压 | 产品类别 | 最大电压允差 | JEDEC-95代码 | 工作测试电流 | 电压允差 | 齐纳电流 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 直径 | 长度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN1N3022B-1 | Aeroflex | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022B-1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | DO-204AL, DO041, Axial | NO | 2 | DO-41 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 12 V | 未说明 | Bulk | 1N3022 | 9 Ohms | 活跃 | N | Microchip / Microsemi | 通孔 | 1 | 0.010935 oz | 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85 | JAN1N3022B-1 | 无 | 活跃 | MICROSEMI CORP | O-XALF-W2 | 5.3 | 1 | UNSPECIFIED | ROUND | 长式 | 1 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | MIL-PRF-19500/115 | ±5% | e0 | 无 | Production (Last Updated: 2 months ago) | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 175 °C | -55 °C | 冶金结合 | 8541.10.00.50 | Diodes & Rectifiers | AXIAL | WIRE | 未说明 | not_compliant | MIL-19500/115K | Axial | O-XALF-W2 | Qualified | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | Single | 泽纳电极 | 10 µA @ 9.1 V | 1 | 1.2 V @ 200 mA | ISOLATED | 1 W | 10 µA | 21 mA | 12 V | 12 V | 齐纳二极管 | 5% | DO-41 | 21 mA | 5 % | 齐纳二极管 | 2.16 mm | 4.06 mm | 无 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3022B-1 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 通孔 | 2 | SILICON | 1W | 1 | Tape & Reel (TR) | 1999 | e0 | no | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 175°C | -55°C | 冶金结合 | 8541.10.00.50 | AXIAL | WIRE | MIL-19500/115K | Qualified | UNIDIRECTIONAL | Single | 泽纳电极 | 1W | ISOLATED | 10μA | 21mA | 12V | 12V | 5% | DO-41 | 5% | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022BUR-1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-213AB, MELF (Glass) | YES | 2 | DO-213AB (MELF, LL41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 未说明 | Bulk | 1N3022 | 9 Ohms | 活跃 | JAN1N3022BUR-1 | 无 | 活跃 | MICROSEMI CORP | DO-213AB | O-LELF-R2 | 5.18 | 1 | 1 | GLASS | ROUND | 长式 | 1 W | 12 V | -55°C ~ 175°C | Military, MIL-PRF-19500/115 | ±5% | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.50 | END | 环绕 | 未说明 | compliant | MIL-19500/115K | O-LELF-R2 | Qualified | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 泽纳电极 | 10 µA @ 9.1 V | 1.2 V @ 200 mA | ISOLATED | 1 W | 12 V | 5% | DO-213AB | 21 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022B-1/TR | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3022BUR-1 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-213AB, MELF (Glass) | 2 | SILICON | 1 | 1.25W | -55°C~175°C | Bulk | 1999 | Military, MIL-PRF-19500/115 | ±5% | e0 | no | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.50 | END | 环绕 | MIL-19500/115K | Qualified | UNIDIRECTIONAL | Single | 泽纳电极 | 10μA @ 9.1V | 1.2V @ 200mA | ISOLATED | 1W | 1μA | 9Ohm | 12V | 12V | 5% | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022B-1/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-41 | 微芯片技术 | 通孔 | Microchip | Microchip / Microsemi | 200 mA | 12 V | N | 0.081 %/C | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 9 Ohms | 10 uA | 9 Ohms | 10 uA | 1 W | + 175 C | 0.010935 oz | - 55 C | 100 | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | Military, MIL-PRF-19500/115 | ±5% | Diodes & Rectifiers | Single | 10 μA @ 9.1 V | 1.2 V @ 200 mA | 1 W | 21 mA | 12 V | 齐纳二极管 | 5 % | 80 mA | 1.2 V | 齐纳二极管 | 2.72 mm | 5.21 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022BUR-1 | Aeroflex | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022BUR-1/TR | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N3022BUR-1/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-213AB (MELF, LL41) | 微芯片技术 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 200 mA | 12 V | N | 0.081 %/C | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 9 Ohms | 10 uA | 9 Ohms | 10 uA | 1 W | + 175 C | 0.001411 oz | - 55 C | 100 | -55°C ~ 175°C | Reel | Military, MIL-PRF-19500/115 | ±5% | Diodes & Rectifiers | Single | 10 μA @ 9.1 V | 1.2 V @ 200 mA | 1 W | 21 mA | 12 V | 齐纳二极管 | 5 % | 80 mA | 1.2 V | 齐纳二极管 | 2.67 mm | 5.21 mm |
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分类:Diodes - Zener - Single
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