Microchip JAN1N3022B-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AL, DO041, Axial

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-41

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JAN1N3022B-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-XALF-W2

Risk Rank

5.3

Number of Elements

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reference Voltage-Nom

12 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N3022

Impedance (Max) (Zzt)

9 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.010935 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/8541100050/85

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

MIL-PRF-19500/115

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1 W

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

MIL-19500/115K

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 9.1 V

功率耗散

1

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

10 µA

测试电流

21 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

21 mA

电压允差

5 %

产品类别

齐纳二极管

长度

4.06 mm

直径

2.16 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅