Microchip JAN1N3029BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF (Glass)

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Base Product Number

1N3029

Impedance (Max) (Zzt)

25 Ohms

系列

*

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C

容差

±5%

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1.25 W

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 18.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

500 nA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

24 V

齐纳电压

24 V

产品类别

齐纳二极管

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无