Microchip JAN1N3031BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

1206

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

厂商

TE Connectivity 无源产品

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Base Product Number

1N3031

Impedance (Max) (Zzt)

40 Ohms

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

30 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N3031BUR-1

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Package Code

DO-213AB

Risk Rank

5.17

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

3503

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.120 L x 0.061 W (3.05mm x 1.55mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

169 Ohms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Thin Film

功率(瓦特)

2W

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

1.25 W

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/115K

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

失败率

-

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 22.8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

500 nA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

30 V

齐纳电压

30 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

8.5 mA

特征

-

座位高度(最大)

0.023 (0.58mm)

辐射硬化

无

评级结果

-