Microchip JAN1N3037BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Base Product Number

1N3037

Impedance (Max) (Zzt)

95 Ohms

操作温度

0°C ~ 70°C

系列

SXT324

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

容差

±5%

类型

兆赫晶体

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

1.25 W

频率

13 MHz

频率稳定性

±50ppm

ESR（等效串联电阻）

100 Ohms

负载电容

19pF

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 35.8 V

操作模式

Fundamental

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

频率容差

±30ppm

功率 - 最大

1 W

最大反向漏电电流

500 nA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

51 V

齐纳电压

51 V

产品类别

齐纳二极管

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

辐射硬化

无

评级结果

-